郝运代孕多少费用-三星全球率先量产3nm,首个客户是中国矿机芯片公司?

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原标题:三星全球率先量产3nm,首个客户是中国矿机芯片公司?

【文/观察者网 吕栋】

赶在2022年上半年最后一天,三星“压哨”实现了自己对3nm量产时间的承诺。

今天(6月30日)上午,三星电子发布公告,称该公司已开始量产基于GAA晶体管(Gate-All-Around FET,全环绕栅极)结构的3nm芯片。

这也意味着三星领先台积电,正式成为全球第一家实现3nm制程量产的厂商。

目前,全球有意愿且有条件发展3nm芯片制造的厂商仅剩台积电、三星、英特尔三家,因为他们在购买极紫外光刻机时并不像中国大陆公司一样受到限制。

按计划,台积电的3nm制程将在2022年下半年量产,而英特尔7nm制程改名后的Intel 4也计划在2022年下半年量产。

三星代工业务和半导体研发中心的员工举起三根手指作为3nm的象征,庆祝该公司首次生产采用GAA架构的3nm工艺

根据三星公布的数据,与5nm制程相比,3nm制程可以降低45%的功耗、提升23%的性能和缩小16%的芯片面积。

而三星之前曾透露,其5nm相较7nm制程,性能提升10%,功耗降低20%。

可见,三星3nm制程在参数上的进步比上一代要大。

而且,三星同时透露,第二代3nm制程将有进一步的优化,将降低50%的功耗,提升30%的性能,缩小35%的面积。

值得关注的是,三星在量产3nm制程时首次采用全环绕栅极(GAA)晶体管结构,而量产5nm制程时采用的则是鳍式场效应晶体管(FinFET)结构。

三星透露,该公司选择了多桥通道FET(MBCFET)技术来制造首批GAA晶体管芯片,该技术可以打破FinFET的性能限制,通过降低电源电压水平来提高能源效率,同时通过增加驱动电流的能力来提高性能。

图源:三星官网

有行业媒体曾撰文指出,采用GAA结构制造的芯片,性能有望提升25%,功耗降低50%,而使用FinFET结构,性能和功耗的改善大致都在15%到20%的范围内。

美国芯片设计软件EDA巨头新思科技(Synopsys)的高管也曾指出,GAA晶体管结构象征着制程技术进步的关键转折点,对保持下一波超大规模创新所需的策略至关重要。

不过,台积电已经宣布,该公司3nm制程仍将采用FinFET结构,最早到2nm制程时才会使用GAA结构。

2021年9月,台积电方面曾表示,相信FinFET结构将能给客户提供最成熟的技术、最好的性能及最佳的成本,预计3nm性能可较5nm提升10%至15%,功耗减少25%至30%。

三星今天透露,该公司正在位于首尔南部华城市的晶圆厂生产3nm芯片,其GAA晶体管芯片将应用于高性能、低功耗计算领域,并计划扩展到移动处理器。

今年5月,美国总统拜登参观三星电子的3nm工厂

不过,三星并未透露哪些客户将采用其3nm制程。

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